هنگام استفاده از مد (Conductive Atomic Force microscopy (C-AFM تصویربرداری سطح نمونه با تیپ رسانا به صورت تماسی صورت می گیرد و همزمان تصویر توپوگرافی نیز تولید می گردد. تصویر جریان و توپوگرافی به صورت همزمان از یک نقطه گرفته می شود و نشان می دهد که از سطح یک رسانا چه میزان جریان عبور می کند.

پس از رسیدن به تصویر توپو، تیپ ممکن است به نقطه دلخواه ما برود و ولتاژ افزایش یابد. این درحالی است که جریان برای بدست آمدن منحنی جریان- ولتاژ محلی اندازه گیری می شود. مزیت عمده ی C-AFM نسبت به دیگر روش های اندازه گیری الکتریکی، رسیدن به تصویر فضایی با رزولوشن بالا است.

به عنوان نمونه با استفاده از اندازه گیری های C-AFM از فیلم های نازک polycrystalline می توان به تفاوت رسانایی مرزها و قسمت داخلی گرانول ها رسید. همچنین از C-AFM می توان برای شناسایی مسیرهای رسانش سلول های خورشیدی استفاده نمود. از دیگر کاربردهای آن می توان به شناسایی نقص های الکتریکی و بررسی هدایت پلیمرها، نیمه هادی ها، نانوتیوب ها و حتی مواد ارگانیک اشاره کرد.