خلاصه مقاله

محققان دانشگاه ایالت یورال جنوبی روسیه با استفاده از AFM در حالت Lateral، روشی به منظور بررسی انرژی سطحی مواد برای کنترل مکانیزم رشد NiFe films ارائه داده‌اند. در حقیقت یکی از قابلیت‌های روش پیشنهادی این محققان، کنترل رشد مکانیزم رشد لایه‌های نازک مغناطیسی می‌باشد.

نام مجله : Nature (Scientific Reports)

تاریخ انتشار : 2020 September 01

لینک مقاله